MN504S磁性編碼傳感器|德國(guó)IFM銷(xiāo)售

德國(guó)IFM易福門(mén)MN504S磁性編碼傳感器薄膜磁敏電阻器利用的是強(qiáng)磁合金薄膜中的磁敏電阻各向異性效應(yīng)。在與薄膜表面平行的磁場(chǎng)作用下,以坡莫合金為代表的強(qiáng)磁性合金薄膜的電阻率呈現(xiàn)出2 [%]～5 [%]的變化。利用這種效應(yīng)已制成三端、四端磁阻器件。四端磁阻橋已大量用于磁編碼器中,用來(lái)檢測(cè)和控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此外,還作成了磁阻磁強(qiáng)計(jì)、磁阻讀頭以及二維、三維磁阻器件等。它們可檢測(cè)10 - 10～10 - 2 T 的弱磁場(chǎng),靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好, 將成為弱磁場(chǎng)傳感和檢測(cè)的重要器件。電力電子表技術(shù)是電力技術(shù)和電子技術(shù)的結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)交直流電流的相互變換，并可在所需的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)電流、電壓和頻率的自由調(diào)節(jié)。

采用這些技術(shù)和產(chǎn)品，可做成各種特殊電源(如UPS、高頻電源、開(kāi)關(guān)電源、弧焊機(jī)逆變電源等)和交流變頻器等產(chǎn)品(交流變頻器用于電機(jī)調(diào)速，節(jié)能效果。這些變流裝置的核心，是大功率半導(dǎo)體器件。以磁傳感器為基礎(chǔ)的各種電流傳感器被用來(lái)監(jiān)測(cè)、控制和保護(hù)這些大功率器件巨磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數(shù)和層間材料的不同組合,可以制成不同的機(jī)制的巨磁電阻磁傳感器。它們呈現(xiàn)出的隨磁場(chǎng)而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的要高出幾倍,正受到研制高密度記錄磁盤(pán)讀出頭的科技人員的極大關(guān)注，各種不同成分和比例的非晶合金材料的采用,及其各種處理工藝的引入,給磁傳感器的研制注入了新的活力

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已研制和生產(chǎn)出了雙芯多諧振蕩橋磁傳感器、非晶力矩傳感器、壓力傳感器、熱磁傳感器、非晶大巴克豪森效應(yīng)磁傳感器等[4 ] 。發(fā)現(xiàn)的巨磁感應(yīng)效應(yīng),比巨磁電阻的響應(yīng)靈敏度高一個(gè)量級(jí),可能做成磁頭,成為高密度磁盤(pán)讀頭的有力競(jìng)爭(zhēng)者。利用非晶合金的高導(dǎo)磁率特性和可做成細(xì)絲的機(jī)械特性,將它們用于磁通門(mén)和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到大大的改善。(6) Ⅲ- Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。例如,在InP 襯底上用分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)In0. 52Al0. 48As/In0. 8Ga0. 2As ,形成假晶結(jié)構(gòu),產(chǎn)生二維電子氣層,其層厚是分子級(jí)的,這種材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。用這種材料來(lái)制作霍爾元件,其靈敏度高于市售的

技術(shù)參數(shù)：

外殼

矩形的

尺寸 [mm]

88 x 13.1 x 25

運(yùn)行方式

持久運(yùn)行

應(yīng)用

用于安全應(yīng)用

電氣數(shù)據(jù)

工作電壓 [V]

24 DC

額定絕緣電壓 [V]

60

防護(hù)等級(jí)

III

反相保護(hù)

否

內(nèi)阻 (Ri) [Ω]

10; (1 W)

輸出

輸出功能

2 x 常開(kāi)，1 x 常閉; (無(wú)電勢(shì))

電流負(fù)載 [mA]

50

開(kāi)關(guān)頻率DC [Hz]

150

輸出數(shù)據(jù)

接口類(lèi)型A

短路保護(hù)

否

電容負(fù)載值

20

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